意法半导体采用新节能封装扩大高能效功率产品阵容
|
热
|
|
| 意法半导体采用新节能封装扩大高能效功率产品阵容 |
| ［
作者：佚名 转贴自：意法半导体 点击数：291 更新时间：2013-7-8 文章录入：pecker
］ |
意法半导体推出首款采用全新封装技术的MDmesh™ V超结MOSFET晶体管，新封装技术可提高白色家电、电视、个人电脑、电信设备和服务器开关电源等设备的功率电路能效。
新的TO247-4 4针封装提供一个开关控制专用直接源极针脚，而传统封装是开关和电源共用一个针脚。增加的针脚能够提高开关能效，降低开关损耗，支持更高的开关频率，进一步降低电源尺寸。
该封装是意法半导体与英飞凌的合作开发成果，英飞凌也推出其新款超结器件，为客户选购超结MOSFET提供了另一个选择。意法半导体功率晶体管产品部市场总监Maurizio Giudice表示：“TO247-4具有很高的成本效益，用于替代标准TO-247 器件时，只需对印刷电路板布局略加修改，从而简化了该器件在电源系统的应用。采用这一封装的全新意法半导体MDmesh器件可提高工作能效，使终端设备更加节能环保。”
TO247-4封装集成了实现至源极Kelvin连接的内部结构， 这个连接旁通了主电源连接的共源电感，可消除高达60%的开关损耗，设计人员可使用更高的开关频率和更小的滤波器件。新封装结合意法半导体的MDmesh超结技术，实现最高的单位硅面积导电效率及最好的总体节能效果。
此次推出的产品是STW57N65M5-4。作为首款TO247-4封装的MDmesh产品，STW57N65M5-4可提高主动功率因数校正（PFC）电路和全桥或半桥功率转换器的能效，适用于各种消费电子和工业电子产品。
TO247-4封装的STW57N65M5-4的更多特性：
· 高抗噪性，可降低电磁干扰（EMI）敏感度
· 增强的额定电压，可提高安全系数
· 高耐dv/dt能力，可提高可靠性
· 100%雪崩测试，可用于耐用性设计
STW57N65M5-4现已量产，订量超过1,000时的价格为10.00美元起。 |
|
|
|
| 免责声明：本文仅代表作者个人观点，与Pecker's Home无关。登载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字和图片（或其他媒体形式内容）的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺。请读者仅作参考，并请自行核实相关内容。如果有侵犯版权事宜，请通知master@peckerhome.com，我们将在第一时间删除该信息。
|
|
|
|
|
|
| 【发表评论】【告诉好友】【打印此文】【关闭窗口】 |
网友评论：（只显示最新10条。评论内容只代表网友观点，与本站立场无关！）