东芝发布600V系统超结MOSFET DTMOSIV高速二极管系列
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| 东芝发布600V系统超结MOSFET DTMOSIV高速二极管系列 |
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作者：佚名 转贴自：东芝 点击数：304 更新时间：2013-4-29 文章录入：pecker
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东芝公司（东京：6502）在第四代600V系统超结MOSFET DTMOS IV系列的基础上，已开发出一个高速二极管产品系列。新系列采用了最新的单层外延工艺，与现有产品相比，其RON•A（每区域的导通电阻）降低了大约30%(注1)，所以达到了业界领先的水平。(注2) 此外，高速寄生二极管的反向恢复时间大约为现有产品(注3)的三分之一，从而减少了损失，并有助于提升功率效率。
(注1) 对比之前的“DTMOSⅢ”系列。（东芝数据）
(注2) 截至2013年4月3日。(东芝数据)
(注3) 对比当前的产品“TK16A60W”。（截至2013年4月3日。东芝数据）
应用
开关电源、微型逆变器、适配器和光伏逆变器
主要特征
·与现有的产品（DTMOSⅢ系列）相比，RON•A降低了30%。
·高速寄生二极管的反向恢复时间大约是现有产品的三分之一。
·单层外延工艺的使用可确保在高温条件下，导通电阻和反向恢复时间小幅增加。
·导通电阻范围广泛（0.65至0.074Ω）
·广泛的封装阵容
主要规格
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