英飞凌推出采用创新芯片嵌入式封装技术的新一代DrMOS器件DrBlade
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| 英飞凌推出采用创新芯片嵌入式封装技术的新一代DrMOS器件DrBlade |
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作者：佚名 转贴自：英飞凌 点击数：259 更新时间：2013-4-12 文章录入：pecker
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英飞凌科技股份公司 （FSE代码： IFX/OTCQX代码： IFNNY） 推出DrBlade：全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的集成式器件，它集成了 DC/DC 驱动器及 MOSFET VR 功率级。DrBlade 包含最新一代低压 DC/DC 驱动器技术及OptiMOS™ MOSFET 器件。该MOSFET 技术拥有最低的单位面积导通阻抗及针对应用优化的品质因数，能达到最高的 DC/DC调压系统效率，适用于计算及电信应用，包括刀片服务器和机架服务器、PC主板、笔记本电脑和游戏机等。
全新 Blade封装技术
英飞凌创新的Blade 封装技术，采用芯片嵌入概念，使用电镀制程取代标准的封装制程，例如邦线、夹焊以及常见的模制技术。此外，芯片也以叠层薄片进行保护。其结果是大幅缩小封装体积、降低封装电阻及电感，同时亦降低热阻。
英飞凌低压功率转换产品资深总监Richard Kuncic 表示：“英飞凌是业界第一家推出采用Blade 技术的集成了驱动器及 MOSFET 半桥的半导体公司。DrBlade 的推出可提升服务器应用在全负载范围的效率，再度证明我们在功率半导体领域的领导地位。”
节省空间，提高效率
DrBlade 封装面积为 5x5mm，高度仅为 0.5mm，可满足计算系统对于更高功率密度及节省空间的需求。DrBlade 拥有优化的引脚规划，可简化 PCB布局。采用全新的芯片嵌入式封装技术，再结合英飞凌的 OptiMOS MOSFET，这使 DrBlade 成为低压市场的最佳稳压解决方案。
上市时间与定价
DrBlade样品已开始提供，并于2013年第二季度量产。 |
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