东芝公司已发布一款100V低导通电阻、低泄漏电流的功率MOSFET产品，该产品采用最新的沟槽MOS工艺，是车用MOSFET产品阵容中的最新成员。这款新产品“TK55S10N1”通过采用最新的第8代沟槽MOS工艺所制成的“U-MOS VIII-H系列”芯片以及使用Cu（铜）接头的“DPAK+”封装而实现了低的导通电阻。该产品首先适合用于汽车应用中，而且特别适合用于像开关稳压器等要求高速开关的应用场合。现在可以提供样品，而大批量生产将定于2013年4月开始。

主要特征

    ·低导通电阻（VGS=10V）, RDS（ON）= 5.5mΩ（典型值）
    ·低泄漏电流IDSS=10µA（最大值）（VDS=额定电压）
    ·“DPAK+”封装通过使用Cu接头而实现了低导通电阻