东芝开发出针对嵌入式SRAM的低功耗技术
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| 东芝开发出针对嵌入式SRAM的低功耗技术 |
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作者：佚名 转贴自：东芝 点击数：285 更新时间：2013-3-22 文章录入：pecker
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东芝公司宣布了应用于智能电话和其它移动产品的嵌入式SRAM创新低功耗技术的开发进展。通过采用位线功率计算器（BLPC）和数字可控保持电路（DCRC)，这项新技术降低了从室温（RT）到高温条件 （HT）下的活动功耗和待机功耗。经验证，在 25°C时其原型产品可降低27%的活动功耗和85%的待机功耗。
为实现更长的电池寿命，需要降低在高性能和低性能模式（MP3解码、后台处理等）中的功耗。因为低性能应用的运行速度仅要求几十MHz，这种情况下SRAM温度仍然维持在室温，其活动功耗和泄电流功耗相近。所以，降低功耗的关键是将HT情况下的活动功耗和待机功耗减少至RT情况下的活动功耗和待机功耗。
东芝的新技术采用了BLPC和DCRC。BLPC使用复制的位线监测环形振荡器的频率，从而预测位线功耗。它通过监测SRAM（静态随机存储器）中休止的电路的电流消耗，最大程度地降低了特定条件下的SRAM活动功耗。DCRC通过定期地自我激活以更新保持驱动电路中缓冲器的大小，从而大大降低了保持电路的待机功耗。
东芝将继续开发应用于在移动产品使用的高性能、低功率系统LSI的新技术。 |
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