IR 推出具有基准导通电阻的全新 300V 功率 MOSFET
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IR 推出具有基准导通电阻的全新 300V 功率 MOSFET |
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作者:佚名 转贴自:IR 点击数:198 更新时间:2013-1-28 文章录入:pecker
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国际整流器公司 (International Rectifier,简称 IR) 近日推出配备 IR 最新功率 MOSFET 的 300V 器件系列,可为各种高效工业应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ,这些工业应用包括 110V-120V 交流电压线性调节器和 110V-120V 交流电压电源,以及直流-交流逆变器,如太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)等。
全新功率 MOSFET 系列具有极低的导通电阻,有助于提升系统效率,还可让设计人员在多个 MOSFET 并联使用时减少产品的组件数量。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“由于 IR 300V MOSFET 系列提供基准导通电阻,能够提升效率、功率密度和可靠性,非常适合需要更高效率的工业应用。”
新器件不含铅,符合第一级潮湿敏感度 (MSL1) 业界标准和电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。
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