恩智浦推出两款采用SOT89封装的2A、低VCEsat晶体管
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| 恩智浦推出两款采用SOT89封装的2A、低VCEsat晶体管 |
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作者：佚名 转贴自：恩智浦 点击数：226 更新时间：2013-1-7 文章录入：pecker
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恩智浦扩展了其低VCEsat晶体管产品组合，加入了两款采用中等功率扁平引脚SOT89封装的2 A、40 V产品。PBSS4240X (NPN)和PBSS5240X (PNP)具有低饱和电压、高集极电流和高电流增益性能。全新的BJT特别适合工业应用和汽车应用。由于集成了散热片，因此该器件具有出色的散热性能，Ptotal（总功耗）最大值为1350 mW。
主要特性和优势
·高热功耗能力，Ptotal为1350 mW
·高效率、发热量更低
·低集电极-发射极饱和电压VCEsat
·高集极电流能力：IC = 2 A且ICM = 3 A
·高电流增益hFe
·符合AEC-Q101标准
主要应用
·电源
·电池充电器
·LCD背光照明
·低电源电压应用中的驱动器（如灯具和LED）
·DC-DC转换
·电源线开关
·电感负载驱动器（如继电器、蜂鸣器和电机） |
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