英飞凌利用650V TRENCHSTOP™ 5重新定义出类拔萃的IGBT性能
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| 英飞凌利用650V TRENCHSTOP™ 5重新定义出类拔萃的IGBT性能 |
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作者：佚名 转贴自：英飞凌 点击数：223 更新时间：2012-11-27 文章录入：pecker
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英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)）发布了采用TRENCHSTOP™ 5技术的新一代薄晶圆IGBT（绝缘栅双极晶体管）。与当前领先的解决方案相比，该产品大大降低了导通和开关损耗。凭借这一重大突破，英飞凌在IGBT性能方面设定了新基准，并继续在要求持续提升效率的市场占据领先位置。
由于击穿电压增加到650V，该全新技术为设计带来了更高的安全裕度。目标拓扑为光伏逆变器、不间断电源（UPS）和逆变焊机等应用中常见的升压PFC（AC/DC）级和高压DC/DC拓扑。
TRENCHSTOP™ 5为两个产品系列奠定了基础。HighSpeed 5（H5）是易用型软开关高速IGBT，用于即插即用取代现有的IGBT，因为其可轻松融入产品设计之中。HighSpeed 5 FAST（F5）是迄今为止最高效的IGBT，譬如，采用“H4 bridge”拓扑的光伏逆变器的系统效率达到了98%以上。
“TRENCHSTOP™ 5在IGBT性能方面带来了飞跃，以更高的系统效率和更高的击穿电压，提升了可靠性。这会导致整个平台的系统成本降低。对于那些要求在一个解决方案中具备所有这些特性的客户而言，TRENCHSTOP™ 5是唯一选择。”英飞凌公司IGBT功率分立式器件营销主管Roland Stele表示。
全新的TRENCHSTOP™ 5技术为众多目标应用带来了巨大益处。与当今最好的来自英飞凌的HighSpeed（H3）相比，传导损耗降低了超过10%，总开关损耗降低了超过60%。效率的大幅度提升使得可实现更低的工作结温，确保更高的寿命周期可靠性，或实现更高功率密度的设计。譬如，应用测试已经证明采用TO-220封装的TRENCHSTOP™ 5比采用TO-247封装的H3的外壳温度低15%。
其他重大改进包括饱和电压（Vce(sat)）正温度系数和关断开关损耗（Eoff），确保性能在高温操作期间不降低，并可直接进行并联。与H3相比降低60%的栅电荷（Qg）使得IGBT能以更低成本进行更轻松驱动。此外，TRENCHSTOP™ 5具有快速恢复续流二极管的温度稳定正向压降（VF），且反向恢复时间（Trr）不到50ns。低输出电容（Coss和Eoss）带来了杰出的轻载效率，是工作范围主要在最大额定值40%以下的设计的理想之选。
供货情况
H5和F5产品样品于11月中旬供货。
更多信息，敬请访问： www.infineon.com/trenchstop5。 |
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