英飞凌推出第五代thinQ!TM SiC 肖特基二极管
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| 英飞凌推出第五代thinQ!TM SiC 肖特基二极管 |
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作者：佚名 转贴自：英飞凌 点击数：273 更新时间：2012-10-17 文章录入：pecker
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英飞凌宣布持续扩充旗下SiC（碳化硅）产品系列，推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基二极管。
英飞凌自第三代产品已采用其专属的扩散焊接制程，现在再结合更小巧的新型设计以及最先进的薄晶圆技术，改善了散热特性，优值系数(Qc x Vf) 也比旧款的SiC 二极管产品系列少了30%，使得此一产品系列在所有负载条件之下，均比前一代的thinQ!TM 拥有更佳的PFC 效率和升压级。第五代产品专为高阶服务器和电信开关式电源供应器(SMPS)、PC Silverbox 和照明应用、太阳能逆变器和不断电系统(UPS) 所设计。随着新一代产品的推出，这些应用不仅能受益于效率的提升，亦能由电磁干扰(EMI)的降低、系统可靠性的提升，以及冷却需求减少所省下的成本/体积中获益。
英飞凌高电压功率转换产品部门主管Jan-Willem Reynaerts 表示：「英飞凌自2001 年首次推出SiC 肖特基二极管之后，持续致力于改善及扩充该产品系列。SiC二极管是一项与众不同的产品，能够引领未来的绿能世界。与前代系列相较下，第五代产品进一步提升系统效率和功率密度，更拥有吸引人的性价比。」
结合第三代的低电容电荷(Qc) 数值和第二代的正向电压(Vf)等级，让第五代产品的PFC 电路拥有最大效率。新系列采用更高的650V 崩溃电压，而非第二代和第三代的600V，符合最新版的CoolMOSTM 技术。此特性可在太阳能逆变器等应用和高挑战性的SMPS 环境中，提供更高的边际安全性。此外，第五代产品还具备高突波电流防护功能，并推出更多样化的产品系列，包括具备更高额定电流和采用TO-247 和ThinPAK 等新封装的产品。
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