深迪半导体（上海）有限公司(Senodia Technologies (Shanghai) Co., Ltd )首款三轴MEMS磁传感器 -- ST480MQ正式亮相。随着多轴传感器在消费电子终端的越发普及，深迪半导体不断扩大相关产品线，该款产品也成为中国首款采用霍尔效应技术(Hall)的三轴MEMS磁传感器。

    继10天前深迪半导体发布单轴汽车级MEMS陀螺仪产品（相关链接：http://www.prnasia.com/story/67066-1.shtml），深迪再推磁传感器。藉此，深迪产品线已涵盖三轴消费级、单轴汽车级MEMS陀螺仪和三轴MEMS磁传感器，也进一步构筑了深迪的六轴、九轴传感器方案。

    MEMS磁传感器的主要应用领域包括电子罗盘、位基服务及GPS盲点辅助定位等，目前已广泛采用在智能手机、平板电脑、游戏手柄和GPS导航设备中。ST480MQ主要面向的即是手机、平板电脑等各类移动终端市场。

    由于消费终端尺寸轻薄的导向日趋风行，因此对于MEMS传感器的尺寸、集成度和可靠性日益严苛，多传感器融合方案也是必然趋势。ST480MQ推出后，深迪可自制的产品已涵盖陀螺仪和磁传感器，向六轴、九轴惯性组合方案又向前迈进一步。

- 霍尔效应(Hall)的技术优势

    采用Hall技术是当前MEMS磁传感器主流的发展方向。Hall技术磁传感器的优点是体积小，功耗低，成本低廉，接口电路简单，特别适用于强磁场的测量。同时，采用磁集极(IMC)技术能够很大程度上弥补Hall传感器的弱点，灵敏度、测量精确度和响应时间能够大幅提高，并增强了片内处理电路的功能，完全可以满足消费电子的需要。

    Hall技术另一个巨大优势是，能够使磁传感元件与ASIC集成于同一块芯片，从而实现单芯片的解决方案，发挥单芯片、高集成、高可靠性、超小封装、低成本的优势。而采用各向异性磁阻技术(ARM)等则尚无法实现单芯片解决方案。

- 产品特征和性能指标

    ·测量范围：+/-48 gauss
    ·工作温度范围：-40摄氏度~ 85摄氏度
    ·分辨率：0.3 uT/LSB (Z轴)，0.2 uT/LSB(X/Y轴)
    ·工作电流：420 uA
    ·待机电流：2 uA
    ·尺寸：3×3×0.85mm
    ·封装形式：QFN
    ·IIC/SPI接口
    ·16bit ADC

    ST480MQ已可提供工程样品，2012年第四季度实现批量生产。ST480MQ采用的是3×3×0.85mm的QFN封装，深迪同时表示，尺寸为2×2×0.85mm，采用BGA封装的ST480MB亦即将在第四季度中亮相。