罗姆开发出实现业界最小的低VF SiC肖特基势垒二极管
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| 罗姆开发出实现业界最小的低VF SiC肖特基势垒二极管 |
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作者：佚名 转贴自：罗姆 点击数：239 更新时间：2012-6-25 文章录入：pecker
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罗姆株式会社(总部位于日本京都)面向太阳能发电功率调节器、工业设备、服务器和空调等的电源电路，开发出实现业界最小※正向电压(VF＝1.35V)的第二代SiC(Silicon Carbide：碳化硅)肖特基势垒二极管"SCS210AG/AM"(600V/10A)。
与传统产品相比，正向电压降低了10%，非常有助于各种设备实现更低功耗。生产基地在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)，从6月份开始出售样品 (样品价格500日元/个)并陆续量产。
※根据罗姆的调查(截至2012年6月7日)
近年来，在工业设备、太阳能电池、电动车以及铁路等电力电子技术领域，与Si元件相比，电力转换时损耗少、材料性能卓越的SiC元件/模块的实际应用备受期待。罗姆于2010年成功实现了SiC-SBD和SiC-MOSFET两种SiC元件的量产，于2012年3月在世界上率先成功将"全SiC"功率模块投入量产等等，产品开发在行业中遥遥领先。
如今，SiC-SBD已经逐渐在世界范围内广泛量产，但形成通态损耗的正向电压长期维持在1.5V的状态，市场上为了追求更低损耗，要求降低正向电压。
通常，正向电压降低反向漏电流就会增加，罗姆通过改善工艺和元件构造，在确保极低漏电流的基础上成功降低了正向电压。特别是正向上升电压较低，有望改善一般使用频率较高的低负载状态下的效率。
新系列首先从600V-10A的产品开始量产，今后将逐步扩大产品阵容。计划在数月内开始1200V产品的量产。
＜特長＞
高速开关，低VF，与传统的Si产品相比，损耗显著降低
不仅实现了只有SiC才能实现的高速开关，
而且正向电压更低，与传统的Si材质快速恢复二极管相比，损耗显著降低。 |
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