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英飞凌科技股份有限公司宣布推出采用TO 无铅封装的汽车电源MOSFET 系列产品。新型40V OptiMOS™ T2 MOSFET 结合创新的封装技术及英飞凌的薄晶圆制程技术，拥有同级产品最佳规格。英飞凌采用扩散焊接黏晶技术所生产的无铅封装包括TO-220, TO-262 以及TO-263。由于封装几何方面对于晶粒焊垫厚度与芯片尺寸的特殊要求，现今扩散焊接粘晶技术仅适用于上述三种英飞凌所提供的封装形式，OptiMOS T2 系列产品的量产已准备就绪。
英飞凌的MOSFET 新系列产品超越了现行欧盟RoHS 对于含铅焊锡封装的规范。更严格的ELV RoHS 标准可能将于2014年施行，届时将要求采用完全无铅的封装方式。作为业界首款无铅封装MOSFET，英飞凌的新产品让客户满足更严格的要求。
英飞凌汽车电子事业处标准电源产品副总裁暨总经理Frank Schwertlein 表示：「英飞凌在功率半导体和相关封装技术方面皆为业界之首。而今，英飞凌再度成为全球率先推出无铅封装之芯片供货商，提供汽车产业客户因应未来，符合RoHS 且环保之MOSFET，协助客户开发节能的『绿色』产品。」
英飞凌专利的无铅黏晶(die attach) 技术采用扩散焊接，可提升电性与散热表现、可制造性以及质量。此黏晶技术搭配英飞凌的薄晶圆制程（60µm，标准为175µm），为功率半导体提供多项改良：
- 环保的技术：不使用铅及其它有毒物质。
- 扩散焊接黏晶技术结合薄晶圆制程：大幅降低封装的导通电阻值RDS(on)。
- 热阻(RthJC) 改善率高达40- 50%：传统软铅焊料的热传导能力不佳，阻碍了MOSFET 接面之散热。
- 其它优点还包括：由于没有焊锡流迹(Bleed-out) 及芯片倾斜(Chip tiltness)的问题，以及更收敛的RDS(on) 与RthJC 分布，提供了更佳的可制造性。降低产品内的机电应力，也提升了产品可靠性和质量。
从新款OptiMOS T2 40V (如：IPB160N04S4-02D，160A) 的规格得知，其RDS(on) 仅2.0mΩ 且RthJC 仅0.9K/W。相较于使用标准铅焊接的同类产品，其导通电阻降低了约20% 。此外，英飞凌专利的扩散焊接技术可减少「芯片至导线架」的热阻抗，让新型OptiMOS T2 产品拥有同级产品中最佳效能。
上市时间
OtpiMOS T2 为业界率先采用TO 无铅封装的车用电源MOSFET，系列产品包括IPB160N04S4-02D ( 160A，TO-263 封装)、IPB100N04S4-02D (100A, TO-263)、IPP100N04S4-0
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英飞凌推出采标准 TO 无铅封装的汽车电源 MOSFET
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