恩智浦推出带宽密集型基站用第八代LDMOS技术
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| 恩智浦推出带宽密集型基站用第八代LDMOS技术 |
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作者：佚名 转贴自：恩智浦 点击数：335 更新时间：2011-7-29 文章录入：pecker
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恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. （NASDAQ：NXPI）近日宣布推出无线基站用第八代（Gen8）LDMOS射频功率晶体管。该产品最大信号带宽为60MHz，并优化了I/O匹配结构，从而打造出结构紧凑、经济高效、支持多种标准的宽带用多赫蒂功率放大器。
恩智浦的第八代LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）晶体管即将推出最高支持960MHz应用的样片。该样片具备出色的线性能力、极强的耐用性以及突破55%的工作效率，支持多载波GSM功率放大器。恩智浦后续产品将涵盖1800、1900和2100MHz GSM-WCDMA-LTE，样片将在2011年内面市。
无线基础设施供应商目前正面临着如何快速向市场推出高性价比和高能效基站产品的压力。这种压力已从新兴市场向成熟市场蔓延，而在农村地区的部署中又存在着蜂窝标准多元化、频带和网络共享要求不统一的问题，这进一步加重了这种压力。恩智浦第八代LDMOS技术专为应对这些挑战而设计，不仅可提供多波段和宽带功率放大器以及多模基站收发信台（BTS），而且集低功耗、低成本、高效率等众多优势于一身。
主要特性：
·恩智浦第八代LDMOS射频功率晶体管提供更多带宽、更高功率和电气效率，而体积更小、成本更低。
·相比前代产品，第八代产品的功率密度和能效分别提升了15%和5%（取决于具体应用）。
·采用体积小、性价比高的SOT502封装尺寸，提供超过500W（P3dB）的峰值功率，可用作调峰晶体管。
·更宽的视频带宽，支持全波段操作。
·恩智浦射频功率晶体管的LDMOS技术通常采用28V-32V工作电压，性能高达创纪录的3.8GHz。
支持引语：
恩智浦半导体基站功率放大器营销总监Christophe Cugge表示："无线基站技术正不断发展以满足带宽敏感型应用日益增长的需求。恩智浦第八代LDMOS技术成本低、效率高，为基站原始设备制造商（OEM）提供多标准、前瞻性解决方案，使企业实现规格更严的量化生产。恩智浦正在开发多款第八代LDMOS产品的参考设计，包括非对称和3路多赫蒂放大器。"
上市时间：
第八代LDMOS晶体管将于2011年第三季度上市。 |
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