恩智浦发布超耐用XR LDMOS射频功率晶体管
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| 恩智浦发布超耐用XR LDMOS射频功率晶体管 |
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作者：佚名 转贴自：恩智浦 点击数：386 更新时间：2011-7-29 文章录入：pecker
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恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.（NASDAQ：NXPI）近日发布了最新"超耐用"系列XR LDMOS射频功率晶体管，专用于最恶劣的工程环境。XR系列像钉子一样坚固，可承受工业激光、金属蚀刻和混凝土钻孔等恶劣应用环境。凭借恩智浦业界领先的LDMOS技术，XR系列将LDMOS扩展到了目前为数不多的、仍在使用VDMOS和双极晶体管的某些领域。
突发和严重的负载扰动在某些射频应用场合极其普遍。射频功率晶体管应能处理这些扰动，并在多年的使用中不失效或老化。恩智浦在实验室环境下通过引入负载端失配，将失配程度用电压驻波比（VSWR）表示，重现了这些负载扰动。多数基站和广播应用需要"坚固耐用"的射频功率晶体管，要求能在所有相位承受10：1的驻波比。"超耐用"的BLF578XR可轻易承受125：1的驻波比重复测试--这是测试单元目前测得的最高值。这对于某些ISM应用非常关键--通常这些场合要求射频功率晶体管能承受超过100：1的驻波比测试。
恩智浦半导体射频功率产品总监Mark Murphy表示："我们的新款XR系列具有一流的耐用性，为射频功率开辟全新的市场，而这在以往是不可想象的。此次失配度测试，BLF578XR承受住了125：1的驻波比，测试结果说明了一切。为了进一步展示XR系列的耐用性，我们又重现了多种极端恶劣的工作环境，结果证明BLF578XR的性能没有受到丝毫影响。我们欢迎射频功率工程师亲自验证--无论是亲临IMS2011展会、或是观看我们的‘坚不可摧’视频，也可以在他们自己的实验室中进行验证。恩智浦作为业界领先的量产供应商，拥有超过15年的市场经验。此次推出的LDMOS产品不仅性能卓越，还具有VDMOS般坚固耐用，且无需增加客户成本，必将继续引领高性能射频领域的技术进步。"
新款BLF578XR是恩智浦普及型BLF578的超耐用版本，而BLF578则是广播和ISM等众多应用中射频功率晶体管的主力军。在多数应用场合，BLF578XR可以通过简易插装来替代BLF578。
技术特点
BLF578XR采用恩智浦最先进的LDMOS技术制造，专为需要极坚固耐用性的应用场合而设计。
频率范围： 0-500MHz
增益： 24dB（225MHz）
效率： 70%（225MHz）
VSWR： 125:1（1200W所有相位）
峰值输出功率： 1400W （脉冲）
热增强： 0.14K/W
上市时间
恩智浦BLF578XR样片已面世，并将于2011年第三季度量产。 |
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