IRF6811 和IRF6894 是新系列DirectFETplus 的首批器件，比上一代器件减少了导通电阻 (RDS (on) ) 和栅极电荷 (Qg) ，使其效率大幅提高2%。此外，这些器件具有超低栅极电阻 (Rg) ，通过把DC-DC 转换器的开关损耗降至最低来进一步提高效率。

    IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“新款IRF6811 和IRF6894 芯片组利用IR 的 DirectFET 封装技术，并采用IR 的新一代硅技术来优化关键的 MOSFET 参数，为下一代计算需求提供性能卓越、可靠性高及占位空间小的最佳解决方案。”

    IRF6811 控制MOSFET 及IRF6894 同步MOSFET 分别以小罐及中罐供货。25V DirectFETplus 组件结合了业界领先的导通电阻和栅极电荷以及低电荷，将传导和开关损耗降到最低。IRF6894 还设有集成式单片肖特基二极管，可降低由体二极管传导和反向恢复导致的损耗。新型DirectFETplus MOSFET 与上一代器件的占位面积兼容。新器件符合 AEC-Q101 标准，所采用的环保材料既不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。