经过优化的新型车用 MOSFET 系列在 55V 电压下可提供低至8 mΩ 的导通电阻（RDS(on)）。此外，逻辑电平 MOSFET 器件简化了栅极驱动需求，同时减少了电路板占用空间和元件数量。

    IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“我们扩充后的包括逻辑电平器件在内的车用MOSFET 系列，为客户在选择符合其设计要求的电压、封装和功能方面提供了更好的选择，而 IR 经过验证的硅技术更为客户提供了保证。”

    新系列 MOSFET 采用 AU Gen 10.2 沟道技术开发。所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循IR 要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。AEC-Q101 标准要求器件在经过1, 000 次温度循环测试后，导通电阻变化幅度不能超过 20%。然而，经过延长测试后，IR 的新款AU 材料在 5,000 次温度循环时的最大导通电阻变化只有 12%，体现了这款材料的高强度和耐用性。

    新器件符合 AEC-Q101 标准，所采用的环保材料既不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。