IRF6708S2 小罐和IRF6728M 中罐器件可减少元件数量达30%，大幅降低了整体系统成本。这些新款DirectFET MOSFET 具有低电荷和低导通电阻 (RDS(on)) ，最大限度减少了传导及开关损耗。IRF6728M 还备有单片型集成式萧特基二极管 (Schottky) ，可以降低与体二极管导通和反向恢复相关的损耗。

    IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IRF6708S2 和IRF6728M 芯片组能够为注重成本的DC-DC 开关应用提供高效率、且具有成本效益的解决方案，而DirectFET 确保的卓越热特性充分体现了一流的整体价值。”

    IRF6708S2 和IRF6728M 采用了IR 最新一代的30V MOSFET 硅技术。这些新器件除了拥有低导通电阻和低电荷，也具有DirectFET 封装低寄生电阻电感和卓越的散热性能。