新器件采用了 IR 经过验证的 Gen 10.2 技术，可提供低至 1.0 mΩ 的导通电阻 (最大) ，在各种表面贴装器件 (SMD) 和通孔封装上均可承受 24V 至 100V 的电压。一些器件还可将D2Pak-7P 封装和D2Pak 封装的最大额定电流分别调整为 240A 和195A。

    IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示："IR 这些经过优化的汽车专用MOSFET 具有低导通电阻，具有宽泛的电压和封装。由于其表面形成了钝化层，因而可以提高可靠性。此外，该器件的材料经过调整、优化后可达到坚固、耐用的效果。"

    IR 的 汽车用 MOSFET 将动态和静态部分的平均测试以及100% 自动晶圆级视觉检测作为 IR 要求零缺陷的汽车质量理念的一部分。AEC-Q101 标准要求导通电阻在经过 1000 次温度循环测试后，变化幅度不能超过 20%。然而，经过延长测试后，IR 的新款 AU 材料显示，在 5000 次温度循环时的最大导通电阻变化少于10%，体现了这款材料的高强度和耐用性。

    新器件符合 AEC-Q101 标准，所采用的环保材料既不含铅，也符合有害物质管制指令(RoHS) 。