这些坚固耐用的MOSFET 采用IR 最新一代的沟道技术，并且通过非常低的导通电阻 (RDS(on)) 来减少散热。此外，新器件的超低栅极电荷有助于延长不间断电源逆变器或电动工具的电池寿命。

    IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示："新器件能够提供最佳性价比。此外，通过提供四个等级的RDS(on) 及将Qg 保持在30V 的水平，新器件可让设计工程师灵活地选择最适合的器件，来配合其设计的规范和要求。"

    新款MOSFET 拥有充分表征的崩溃电压和电流。随着IR 对这些基准MOSFET 的持续开发，它们将可以作为现有30V TO-220 器件的直接替代品或升级品。

    新器件获得了工业级及一级潮湿敏感度 (MSL1) 认证。这些30V MOSFET 采用TO-220 封装，皆为无铅设计，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 指令。