与其它竞争器件相比，IR 150V MOSFET 提供的总闸电荷降低了高达59%。至于新款200V MOSFET 的闸电荷，则比竞争器件的降低了多达33%。

    IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“随着DC-DC 功率转换应用技术的日益进步，开关频率也有所提高，输入电容和闸电荷在整体效率方面担当起重要的角色。开关损耗的多少对快速开关电路来说是关键的问题。IR 新推出的150V 和200V MOSFET 正好针对这个挑战做出了优化，所以非常适合作为通信应用中隔离式 DC-DC 转换器的主要开关，或者在任何先进的DC-DC 应用中推动轻负载效率。”

    这些新款MOSFET 达到工业级别及第一级湿度感应度（MSL1）。它们采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK 和IPAK 封装，皆为无铅设计，并符合电子产品有害物质管制规定（RoHS）指令。