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瑞萨科技公司近日宣布推出采用6 mm x 6 mm小封装的集成型驱动器MOSFET。R2J20651NP设计用于电脑或服务器中的CPU和DDR类SDRAM电源*1，可实现高达96.5%的最高电源效率。自2008年12月24日起，瑞萨将推出R2J20651NP的样品。
R2J20651NP符合“Integrated Driver-MOSFET (DrMOS)” *2规格（英特尔公司*3的3.0版本），严格采用6 mm x 6 mm的封装尺寸。R2J20651NP在一个单独的封装中集成了两个高端/低端MOSFET*4以及驱动器IC，具有下列特性：
R2J20651NP的特性总结如下。
| (1) |
工业领域最高的电源供应效率: 96.5% |
本产品通过采用我们最新的第十代功率MOSFET达到了最高电源效率，第十代功率MOSFET在效率和低功耗方面取得了长足进步。举例来说，在用于台式计算计中DDR类SRAM的直流-直流转换器中，当将5V的输入电压转换成1.8V时，R2J20651NP取得了96.5%的业界最高的电源效率，并有助节省电源。另外，由于减少了热生成的这一代产品允许使用更小的散热器，而且电容器和其它无源元件的数量也得到缩减，因而就节省了终端产品的设计空间。 |
| (2) |
小封装的占位安装面积约为以往瑞萨产品的一半 |
瑞萨科技通过采用高散热/低损耗封装技术和瑞萨公司的第十代MOSFET器件，实现了6 mm x 6 mm的小型40引脚QFN封装。与以往瑞萨公司8mm x 8 mm的封装相比，R2J20651NP减少了一半的占位面积。此外，由于它可以处理高达35A的电流，因此能够很轻松的有用高密度直流-直流转换器。 |
| (3) |
5V输入电平允许用于5V的单电源电压母板 |
| 驱动器IC电压从以往瑞萨产品的5V电压改变到12V，因此R2J20651NP还可以用于5V的单电源电压母板。这即有利于节能，还有利于使电脑达到最小化。 |
| (4) |
内置的过温检测功能 |
作为DrMOS 标准产品，R2J20651NP首次在驱动器IC中具有温度检测功能，当驱动器IC的温度起过130°C时，能够输出过温信号。可以根据应用来使用这个信号，例如，可以利用系统电源控制IC接收信号并关断系统。
此外，由于可以通过使电源器件监视其自身温度和热生成来提前检测其异常模式和过载状态，因此还可以实现安全电源系统。 |
| (5) |
低端MOSFET禁用功能 |
| R2J20651NP支持不连续的工作模式，其中低端MOSFET*3可以利用与驱动器IC相连接的LSDBL#引脚（见补充图1）可由内部逻辑强制关闭。当启动时，在预偏置操作过程中，当已经有电压停留在输出端时，或者在轻负载操作中提高效率时，这种功能在防止快速放电或负载端电压尖峰方面非常有效。 |
< 产品背景 >
随着宽带时代的到来，电脑和服务器处理的数据量不断增大并具有日益精尖的功能，然而 这也相应的增加了这些电脑的功耗。因此，出现了在CPU、FPGA和DDR SDRAM和其它存储器等元器件中采用更低电压和更大电流的趋势。这样，下述各项成对于为这些器件提供电源电压的直流-直流转换器就变得极为重要：即这些电源中所用的晶体管等功率元件和无源元件的增加；限制热生成；降低空间要求等。
为了应对这些问题，瑞萨公司引领行业，发布了R2J20601NP首代Integrated Driver-MOSFET产品，它符合DrMOS规格并在一个单独的封装中整合了两个高端/低端MOSFET和驱动器IC，以提高CPU稳压器和其它电源元件中的电源效率，同时减少占位面积。瑞萨公司通过对可以处理高达40A电流、具有更高性能的R2J20602NP第二代产品实现量产，不断的推动电源电路的小型化和低功耗。
目前，为了应对对于更高空间占位密度和5V单电压电源母板的市场需求，瑞萨科技采用一个占位面积极为以往产品一半的6 mm x 6 mm的QFN封装，并发布了可支持单5V输入电压的R2J20651NP小型Integrated Driver-MOSFET。
< 产品详情 >
通过采用瑞萨第二代R2J20602NP中所应用的无线铜夹结构，R2J20651NP 所应用的40引脚QFN封装达到了很高的热耗散和低损耗。同样，由于采用的是符合DrMOS规格的铅高热耗散封装，通过占用封装底座表面大部分的芯片安装面积，可以实现超级的热散热封装。通过开发具有更低损耗和多种功能的产品，瑞萨科技大踏布前行，不断扩展其产品线以满足市场需求。
< 注释 >
| Notes: |
1. |
电脑和服务器中所使用的CPU 和 DDR类SDRAM 电源
包括用于CCR SRAM和其它存储器中CPU和直流-直流转换器的稳压器。它们将输入电压转换到CPU或DDR SRAM所需要的电压。例如：这些电路可能将2V电平步降到CPU所需的 1.3V，或将5V电平降到DDR SRAM所需的1.8V. |
| 2. |
“Integrated Driver-MOSFET (DrMOS)”: DrMOS是由英特尔公司所提出的一个封装标准，它是一个驱动器IC和两个高端/低端MOSFET的集成。 |
| 3. |
英特尔和英特尔标识为英特尔公司在美国和其它国家的商标。 |
| 4. |
高端/低端 MOSFET：高端和低端MOSFET用于非隔离的直流-直流转换器开关，通过将这些器件进行“开、关”调节来转换电压。高端MOSFET用于直流-直流转换器控制，而低端MOSFET用于同步整流。 | |
瑞萨科技最新推出的Integrated Driver MOSFET采用6 mm x 6 mm封装
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