安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出8款新的MOSFET 器件，专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路中，这些应用讲究二极管速度和换向安全工作区域(SOA)，安森美半导体的新MOSFET器件提供额外的安全裕量，免应用受未预料的电压瞬态影响。

    这些新的60伏(V)器件均是单N沟道MOSFET，提供较低的导通阻抗(RDS(on))，将功率耗散降到最低。这些器件更提供低门电荷和低门电荷比，降低传导和开关损耗。所有这些性能特性，使电源子系统能效更高。

    安森美半导体MOSFET产品部副总裁兼总经理Paul Leonard说：“这些新的中等电压器件，壮大了安森美半导体优异的、配合市场需要的功率MOSFET阵容。我们计划持续推出针对市场应用的MOSFET解决方案，满足我们消费和工业应用的扩大客户需求，强化安森美半导体高能效电源开关解决方案供应商的业界领先地位。”

器件

    这些器件提供宽的规范点范围，让设计人员能够灵活地选择采用DPAK、D2PAK和TO-220封装的最优导通阻抗(RDS(on))和门电荷组合。

    NTB5411N - D2PAK, 60 V, 75 ID (A), 8.5 mΩ, 92 Qg, 336 mJ
    NTP5411N - TO-220, 60 V,. 75 ID (A), 8.5 mΩ, 92 Qg, 336 mJ
    NTB5412N - D2PAK, 60 V, 60 ID (A), 14 mΩ, 62 Qg, 211 mJ,
    NTP5412N - TO-220, 60 V, 60 ID (A), 14 mΩ, 62 Qg, 211 mJ
    NTB5426N - D2PAK, 60 V, 120 ID (A), 5 mΩ, 170 Qg, 1000 mJ
    NTP5426N - TO-220, 60 V. 120 ID (A), 5 mΩ, 170 Qg, 1000 mJ
    NTD5413N - DPAK, 60 V, 45 ID (A), 21 mΩ, 33 Qg, 101 mJ
    NTD5414N - DPAK, 60 V, 20 ID (A), 37.5 mΩ, 21.2 Qg, 57.8 mJ

    所有这些器件都符合RoHS指令要求，并采用无铅封装。

    现已提供样品和生产数量。根据不同器件，制造商建议零售价介于0.60美元至1.75美元之间。