英飞凌科技股份公司 (FSE/NYSE: IFX)发布了采用新型铜基开腔体塑料封装的全新射频功率晶体管系列。由于铜的更佳热导性，全新EPOC? （增强型塑料开腔体）封装能令热阻改善12%，实现类似传统陶瓷封装的卓越热性能和射频性能，但总成本更低，可靠性更高。凭借EPOC封装、薄裸片和专有裸晶黏着技术，英飞凌为高容量蜂窝基础设施市场带来了最佳热性能、高可靠性和一致性。

    基于英飞凌的先进LDMOS （横向扩散金属氧化物半导体）工艺，这些全新晶体管可理想地应用于高性能蜂窝基础设施应用的功率放大器。它们也是业内首款采用这种环保型封装的射频功率晶体管。

    迄今为止，符合RoHS要求的高性能射频功率晶体管均采用搭载镀金引脚的陶瓷封装。这种封装的主流无铅装配方法通常涉及复杂的钳夹设计、定制焊接图以及使用无铅焊料或昂贵的除金工艺装配过程。

    英飞凌开腔体塑料封装提供了一个新的选择，并能显著降低制造成本。比如，每个封装的除金工艺的成本在2美元至8美元，具体取决于引脚数量。对于一个典型的120 W晶体管来说，取消这一程序意味着总生产成本节省10%至25%。此外，开腔体塑料封装卓越的热性能令运行结温下降5%（典型值），实现更高的可靠性，从而使该全新射频功率晶体管成为新一代塔式蜂窝基站的理想解决方案。

    “蜂窝市场的瞬息万变不断对基站放大器市场造成价格压力，但在射频功率放大器设计上性能仍然是一个重要的考虑因素，”英飞凌公司副总裁兼射频功率产品部总经理Helmut Vogler表示，“ 因此，设计这些产品系列的关键目标是保持EPOC封装中的高性能，以降低总成本。凭借这些射频功率放大器，设计师将能够创造出更小、更节能的功率放大器，以满足无线系统运营商建造移动通信基站基础设施的需求。”

器件详情

    全新LDMOS器件运行频率在920 MHz至1880 MHz之间，覆盖平均输出功率25 W至50 W的所有典型调制格式。

    在EDGE信号条件下，运行电压为28V的PTFA091201GL和PTFA091201FL在平均输出功率50 W下，提供18.5 dB的典型增益和44%的效率。这些晶体管是920MHz-9 60MHz频带中GSM / EDGE应用的理想解决方案。

    在WCDMA信号条件下，运行电压为28V的PTFA181001GL和PTFA181001HL晶体管在平均输出功率25 W下，提供17 dB的典型增益和27.5%的效率。这些晶体管是1805MHz-1880MHz频带中GSM / EDGE应用的理想解决方案。

供货和定价

    全新LDMOS射频功率晶体管定于2008年第三季度开始批量供应。请联系英飞凌销售代表了解价格信息。