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  美信推出完全集成的815MHz至1000MHz SiGe无源混频器:MAX2029         
美信推出完全集成的815MHz至1000MHz SiGe无源混频器:MAX2029
[ 作者:佚名    转贴自:美信    点击数:527    更新时间:2008-1-29    文章录入:pecker

    Maxim Integrated Products (Pink Sheets: MXIM)推出MAX2029业内性能最优、完全集成的815MHz至1000MHz SiGe无源混频器。MAX2029专为2.5G/3G无线基础结构应用而设计,提供空前的线性度、噪声性能和部件集成的结合。配置为上变频器时,IC可单独提供39dBm的IIP3、71dBc的LO ±2IF抑制,以及仅为6dB的变频损耗。作为下变频器使用时,MAX2029提供同样强大的性能:36.5dBm的IIP3、27dBm的IP1dB、6.5dB的变频损耗,以及6.7dB的噪声系数。此外,器件具有优异的2阶和3阶杂散抑制。MAX2029理想用于815MHz至1000MHz WCDMA、GSM850/GSM900 EDGE、cdma2000 和iDEN 基站等应用,这些应用中,高线性度和低噪声系数对增强型接收器和发送器至关重要。

    作为一款完整的SiGe上/下变频器,MAX2029集成了一个先进的双平衡混频器内核、一个LO放大器、两个非平衡变压器、一个LO开关,以及多个分立元件。这种集成将混频器所需的总电路板空间减小了40%,分立元件的数量减少了33%。MAX2029突出的72dBc (具有-10dBm RF调谐) 2RF-2LO性能还简化了中心频率附近的谐波滤波要求,从而使滤波器设计更为简单,节省了成本。

    混频器提供极宽的直流至250MHz IF频率范围,具有570MHz至900MHz、低端LO注入范围。器件支持通过内部集成的SPDT LO开关进行跳频,开关速度小于50ns(典型值),具有53dB的LO1至LO2隔离。片上具有0dBm驱动的LO缓冲器提供±3dB驱动差异控制,从而在整个温度、电源和输入功率范围内保证增益、NF和IIP3性能的稳定性。MAX2029在-40°C至+85°C工业级温度范围内具有优异的±0.2dB增益差异。IIP3扩展在整个温度范围内同样也具有+0.4dB/-0.6dB的优异性能。

    MAX2029采用紧凑的5mm × 5mm、20引脚TQFN封装。器件封装与MAX2039/MAX2041/MAX2042/MAX2044系列的1700MHz至2200MHz、1700MHz至3000MHz 、2300MHz至2700MHz以及3200MHz至3900MHz混频器引脚兼容,使该系列无源上变频器和下变频器可理想用于采用相同的PCB布局即可方便地实现多频段无线基础结构的应用。器件还提供无铅封装。芯片起价为$6.15 (1000片起,美国离岸价)。

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