整个覆晶基板大饼扩增20至25％，下半年供不应求情况将更显著。

    英特尔将于今年第四季推出的45nm Nehalem平台，由于处理器的单芯片新架构，已整合了部份北桥芯片功能，因此英特尔已与覆晶基板厂展开新合作案，Nehalem处理器采用覆晶基板层数将达十八层以上，较目前Penryn的十四层至十六层提升约15％至25％。再者，英特尔南桥芯片过去均采用闸球数组基板(PBGA)，但配合Nehalem平台的新款南桥Ibexpeak将导入65nm制程及覆晶封装，所以今年下半年覆晶基板供不应求情况将更显著。

    英特尔于上周美国消费性电子展(CES)中，一口气推出十六款45nmPenryn世代处理器，预计三月后大量出货，由于Penryn处理器采用新款X66版本覆晶基板，主要层数介于十四层(5＋4＋5)至十六层 (6＋4＋6)间，目前英特尔合作覆晶基板厂如揖斐电(Ibiden)、新光电气(Shinko)、日本特殊陶业(NGK Spark Plug)、南亚电路板等，首季接单持续满载，产能利用率高达95%以上。

    英特尔Penryn世代仍采取处理器／北桥／南桥等三芯片微架构，但年底要推出的Nehalem世代，则已进入单芯片微架构，处理器将整合部份北桥芯片功能，再将部份北桥芯片功能整合进南桥芯片中。所以 Nehalem平台的南桥将改为新版PCH(Platform Controller Hub)架构，首颗芯片核心代号命名为Ibexpeak，将采用65nm及覆晶封装。

    市场原本认为，英特尔微架构由三颗改为二颗后，对覆晶基板需求将大减，但实际上则不然。基板厂商指出，Nehalem处理器整合了北桥芯片功能后，因为单芯片需要更多的I/O接脚，所以Nehalem的四核心芯片如Lynnfield及Clarksfield，覆晶基板应用层数最少将由十八层(7＋4＋7)起跳，若是绘图芯片核心整合进去的双核心芯片如Have ndale及Auburndale，基板最多则来到二十层(7＋6＋7)，且层数增加将会带来二成左右的产能自然耗减率，同时，新款南桥Ibexpeak也确定改采六层覆晶基板。

    整体来算，整个覆晶基板大饼扩增了20％至25％，若上半年覆晶基板厂扩产幅度不及二成，下半年一定会出现缺货问题。只不过，覆晶基板厂经历了过去二年的供给过剩恶梦，现在除非英特尔确定下单，才会开始进行扩产，如南电至今仍暂缓大扩产能计划就是个很好的案例，若以揖斐电、新光电气、日本特殊陶业、南电等四家业者今年初定下的扩产计划来看，今年产能只会较去年提高15％，所以外资分析师均认为，覆晶基板下半年缺货问题将在第二季开始发酵。