闪存容量突破性进展
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| 闪存容量突破性进展 |
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作者：佚名 转贴自：chip.cn 点击数：294 更新时间：2015-4-3 文章录入：pecker
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英特尔公司和镁光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度闪存的3D NAND技术。
这一全新3D NAND技术由英特尔与镁光联合开发而成，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。
当前，平面结构的 NAND 闪存已接近其实际扩展极限，给半导体存储器行业带来严峻挑战。摩尔定律描绘了持续性能提升与成本降低的发展轨迹。而通过保持摩尔定律与闪存存储解决方案的一致性，3D NAND技术将有望对闪存存储解决方案产生重大影响，从而让闪存存储得到更广泛的应用。
“通过镁光与英特尔的通力协作，双方共同打造出了业界领先的固态存储技术。该技术提供了当今其他闪存技术难以匹敌的更高密度、性能和效率，”镁光科技内存技术与解决方案部门副总裁 Brian Shirley 表示：“这一3D NAND技术拥有彻底改变市场格局的潜力。迄今为止，从智能手机到针对闪存优化的超级计算机，我们所看到的闪存所产生的影响还仅仅是冰山一角。”英特尔公司高级副总裁兼非易失性存储解决方案事业部总经理 Rob Crooke 表示：“该项技术创新可显著改善密度与成本问题，并将显著加快固态存储在计算平台中的应用。”
创新工艺架构
这项技术最重要的特点之一是其基础存储单元。英特尔和镁光选择使用的浮栅存储单元是业界广泛使用的一种设计。它基于多年来大批量制造的平面结构闪存设计改进而成，并首次在3D NAND技术中使用。而浮栅单元是提升性能、质量和可靠性的一个关键设计选择。
全新的3D NAND技术可垂直堆叠 32 层闪存单元，能够在标准封装内实现 256Gb 多层单元 (MLC) 和 384Gb 三层单元 (TLC) 芯片。这些容量可使口香糖大小的固态盘提供超过 3.5 TB 的存储容量，同时使标准 2.5 英寸固态盘能够提供超过 10 TB 的存储容量。由于存储容量可通过垂直堆叠单元来实现，单个存储单元的尺寸可以变得非常大。这将有望提高产品的性能和耐用性，甚至可以使 TLC 设计出色地满足数据中心存储的需求。
该3D NAND设计的主要产品特性包括：
大容量：存储容量可达到现有3D技术的三倍，每块芯片的存储容量最高可达48GB。该3D技术可支持在单个指尖大小的封装内提供 0.75 TB 的存储容量。
每GB闪存成本更低：第一代3D NAND具有比平面结构的NAND更高的成本效益。
快速：更高的读/写带宽、I/O速度和随机读性能。
绿色：全新睡眠模式支持低功耗使用，允许切断不活跃NAND的芯片的电源(即使同一封装内其他芯片处于活跃状态也不受影响)，从而显著降低待机模式下的功耗。
智能：相比前几代产品，一系列创新特性显著改进了延迟问题和提高了耐用性，同时进一步简化了系统集成工作。
256Gb MLC版本的3D NAND芯片当前已向部分合作伙伴提供样品，384Gb TLC版本的3D NAND芯片将于今年春末开始提供样品。目前，晶圆厂生产线已开始初步生产，这两款设备将在今年第四季度全面投产。两家公司还在开发基于3D NAND技术的独立固态盘解决方案系列，并预计于明年推出相关产品。 |
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